久久精品无码一区二区无码,亚洲色偷拍区另类无码专区,精品乱人伦一区二区三区,CHINA中国人妻VIDEO

 

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

  • InP、InAs、InSb、GaAs晶圓——高性能化合物半導(dǎo)體襯底材料解決方案

    ??InP（磷化銦）??、??InAs（砷化銦）??、??InSb（銻化銦）??和??GaAs（砷化鎵）??作為III-V族半導(dǎo)體代表，與??碳化硅（SiC）??、??藍(lán)寶石（Al?O?）??、??硅（Si）??及??金屬襯底??（如銅、鉬）形成互補(bǔ)生態(tài)，覆蓋從可見光到太赫茲頻段、從微電子到光電子的全場(chǎng)景需求。上海知明科技提供??2-12英寸晶圓??，支持異質(zhì)集成與復(fù)合襯底定制，滿足光通信、量子計(jì)算、新能源等領(lǐng)域的極致性能要求。

??InP/InAs/InSb/GaAs襯底——光電子、高頻與量子技術(shù)的核心材料平臺(tái)?

 

上海知明科技專注于提供InP、InAs、InSb、GaAs四大襯底材料及配套解決方案，覆蓋外延生長(zhǎng)、晶圓加工、復(fù)合襯底設(shè)計(jì)等全流程。依托先進(jìn)的MOCVD（金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積）技術(shù)及國(guó)際一流工藝團(tuán)隊(duì)，產(chǎn)品性能達(dá)國(guó)際領(lǐng)先水平，滿足光電子、微波射頻、紅外傳感等領(lǐng)域的高端需求。
 

??材料優(yōu)勢(shì)??：
??InP/GaAs??：直接帶隙（1.34-1.42 eV），高電子遷移率（5,400-8,500 cm²/V·s），適配高速光通信與射頻器件。
??InAs/InSb??：窄帶隙（0.17-0.36 eV），超高頻電子遷移率（77,000 cm²/V·s），支撐紅外探測(cè)與量子點(diǎn)光源。
??協(xié)同特性??：與SiC（熱導(dǎo)率4.9 W/cm·K）、藍(lán)寶石（化學(xué)惰性）結(jié)合，實(shí)現(xiàn)高功率散熱與極端環(huán)境穩(wěn)定性。

??應(yīng)用領(lǐng)域??：
??光通信??：InP激光器（100G/400G模塊）、GaAs光電探測(cè)器。
??新能源??：SiC-on-InP功率模塊（電動(dòng)汽車逆變器）、GaAs光伏電池。
??量子技術(shù)??：InAs量子點(diǎn)（單光子源）、InSb磁量子傳感器。

??服務(wù)亮點(diǎn)??：
??異質(zhì)集成??：支持InP-on-SiC、GaAs-on-Blue Sapphire等復(fù)合襯底，兼容MOCVD與MBE外延。
??多材料加工??：提供硅通孔（TSV）、金屬互聯(lián)（AuSn焊料）等跨材料工藝，適配2.5D/3D封裝。

 


材料特性與應(yīng)用

 

??1. 磷化銦（InP）?
 

??特性??：禁帶寬度1.34 eV，電子遷移率高達(dá)3000–4500 cm²/(V·s)，熱導(dǎo)率優(yōu)于GaAs，支持高頻（>100 GHz）及低噪聲器件。

??應(yīng)用??：
??光通信??：VCSEL/DFB激光器（用于400G/800G光模塊）、APD光電探測(cè)器（提升光纖傳輸效率）。
??微波器件??：毫米波放大器（支持60 GHz+頻段）、衛(wèi)星通信高頻芯片（低相位噪聲設(shè)計(jì)）。
??量子技術(shù)??：?jiǎn)喂庾友┍蓝O管（SPAD，用于量子密鑰分發(fā)系統(tǒng)）。


 

2. ??砷化銦（InAs）?
 

??特性??：窄帶隙（0.36 eV），高電子遷移率，適用于中短波紅外（SWIR/MWIR）探測(cè)。

??應(yīng)用??：
??紅外傳感??：非制冷紅外焦平面陣列（無人機(jī)熱成像）、氣體監(jiān)測(cè)傳感器（檢測(cè)CO?/CH?泄漏）。
??量子器件??：納米線光電二極管（集成于硅基量子計(jì)算芯片）。


 

3. ??銻化銦（InSb）?
 

??特性??：超窄帶隙（0.17 eV），高電子遷移率，適用于長(zhǎng)波紅外（LWIR）探測(cè)。

??應(yīng)用??：
??軍事與航天??：導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)（抗干擾熱成像）、航天器低溫輻射探測(cè)儀。
??醫(yī)療設(shè)備??：高精度紅外測(cè)溫儀（非接觸式體溫監(jiān)測(cè)）。


 

??4. 砷化鎵（GaAs）?
?

??特性??：禁帶寬度1.42 eV，高頻性能優(yōu)異，耐高溫及抗輻射。

??應(yīng)用??：
??射頻器件??：5G基站GaN-on-GaAs功率放大器（效率>70%）、衛(wèi)星通信LNA低噪聲模塊。
??光電子??：VCSEL激光器（3D傳感/AR/VR）、多結(jié)太陽能電池（太空應(yīng)用，轉(zhuǎn)換效率>32%）。

 
 

核心產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)??

?
上海知明科技結(jié)合先進(jìn)材料與工藝，提供多元化復(fù)合襯底解決方案：


1. 跨材料異質(zhì)集成?
?
??·InP-on-SiC??：結(jié)合InP光電性能與SiC高導(dǎo)熱性，用于高功率激光雷達(dá)（LiDAR）模塊，散熱效率提升40%。

??·GaAs-on-Blue Sapphire??：利用藍(lán)寶石化學(xué)惰性封裝GaAs光電器件，延長(zhǎng)壽命至10萬小時(shí)（車規(guī)級(jí)認(rèn)證）。

??·InSb-on-Silicon??：在硅基襯底上集成InSb磁敏層，實(shí)現(xiàn)低成本磁場(chǎng)傳感器陣列。

·GaAs/金剛石復(fù)合襯底：通過背面沉積金剛石層（200–1000 μm），顯著提升散熱性能，適用于大功率激光器及射頻器件。

·InP/Si鍵合襯底：采用室溫晶圓鍵合技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低電阻界面（<0.1 Ω·cm²），支持光電集成與多結(jié)太陽能電池。

·InAs納米線異質(zhì)結(jié)襯底：垂直生長(zhǎng)InAs-InP納米線陣列，增強(qiáng)紅外探測(cè)靈敏度，適配焦平面陣列（FPA）。

·InSb基多功能外延片：結(jié)合MOCVD技術(shù)，定制多量子阱結(jié)構(gòu)，優(yōu)化長(zhǎng)波紅外器件性能。



??2. 多尺寸與復(fù)合襯底??

·??晶圓規(guī)格??：支持2-12英寸InP/GaAs晶圓，兼容4英寸InAs/InSb特殊尺寸。

·??復(fù)合襯底??：提供InP/GaAs疊層、InSb-on-InP異質(zhì)結(jié)，適配光子集成電路（PIC）與射頻前端模塊。



??3. 先進(jìn)加工能力??

??·納米級(jí)工藝??：晶圓切割精度±0.1μm，表面粗糙度Ra <0.2nm（CMP拋光）。

·??跨材料鍵合??：支持硅通孔（TSV）、銅柱凸塊（Cu Pillar）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)2.5D封裝集成。

 

知明服務(wù)

1、定制化外延生長(zhǎng)：支持InP/GaAs基VCSEL、EML激光器等外延片定制，參數(shù)達(dá)國(guó)際領(lǐng)先水平。

2、先進(jìn)晶圓工藝：涵蓋物理研磨、化學(xué)拋光、等離子體刻蝕等，表面粗糙度≤0.1 nm。

3、穩(wěn)定供應(yīng)能力：可覆蓋2–8英寸晶圓，支持快速交付。

4、技術(shù)合作開發(fā)：與高校及科研機(jī)構(gòu)合作，推進(jìn)納米線、光子晶體光柵等前沿技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。

5、全流程質(zhì)控：從外延生長(zhǎng)到封裝測(cè)試，通過ISO 9001認(rèn)證，確保器件可靠性。


 


知明愿景

上海知明科技致力于成為全球化合物半導(dǎo)體襯底領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，以InP、InAs、InSb、GaAs為核心，拓展至碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、藍(lán)寶石等第三代半導(dǎo)體材料，推動(dòng)光電子、功率器件及量子技術(shù)的革新。通過持續(xù)研發(fā)復(fù)合襯底技術(shù)與異質(zhì)集成方案，助力“中國(guó)芯”突破國(guó)際技術(shù)壁壘，為5G通信、智能駕駛、綠色能源等領(lǐng)域提供高性能基礎(chǔ)材料支持。