LNOI晶圓特性與典型應(yīng)用

1、超高電光系數(shù)

特性：具有30 pm/V的超高電光系數(shù)，是傳統(tǒng)硅材料的40倍，可實(shí)現(xiàn)高效電光轉(zhuǎn)換。

應(yīng)用：可應(yīng)用于100Gbps以上高速光調(diào)制器，滿足數(shù)據(jù)中心高速互連需求。

2、超低光學(xué)損耗

特性：傳播損耗低于0.2 dB/cm@1550nm，保持信號(hào)傳輸完整性。

應(yīng)用：特別適合長(zhǎng)距離光子集成電路設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)能效比。

3、寬波段透明

特性：在400-4000nm寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)保持優(yōu)異透光性。

應(yīng)用：可用于多波長(zhǎng)量子光源生成，支持量子通信系統(tǒng)。

4、高非線性效應(yīng)

特性：χ?²?非線性系數(shù)超過(guò)30pm/V，支持高效非線性光學(xué)轉(zhuǎn)換。

應(yīng)用：是光學(xué)頻率梳發(fā)生器的理想平臺(tái)，可用于精密測(cè)量。

5、高速調(diào)制特性

特性：支持100GHz以上調(diào)制帶寬，響應(yīng)時(shí)間達(dá)納秒級(jí)。

應(yīng)用：適用于800G/1.6T光模塊核心芯片，推動(dòng)數(shù)據(jù)中心升級(jí)。

 

知明相關(guān)產(chǎn)品

1. 硅光芯片混合集成
開發(fā)低溫等離子鍵合工藝（<250℃），實(shí)現(xiàn)LNOI調(diào)制器與硅光探測(cè)器的單片集成，3dB帶寬>90GHz，插入損耗<3dB，適用于CPO共封裝光學(xué)架構(gòu)。

2. 氮化硅平臺(tái)互補(bǔ)

通過(guò)納米級(jí)對(duì)準(zhǔn)技術(shù)構(gòu)建LNOI-Si?N?混合波導(dǎo)，其中Si?N?負(fù)責(zé)低損耗傳輸（<0.1dB/cm），LNOI實(shí)現(xiàn)高效電光調(diào)制（VπL<1V·cm），同時(shí)利用χ?²?非線性實(shí)現(xiàn)全光邏輯功能。

3. 磷化銦器件對(duì)接

采用端面反射鏡和微透鏡陣列，實(shí)現(xiàn)LNOI調(diào)制器與InP激光器的低損耗耦合（<1dB），集成模塊尺寸<0.5cm³，適用于可插拔光模塊（QSFP-DD封裝）。

4. 柔性電子拓展

采用端面反射鏡和微透鏡陣列，實(shí)現(xiàn)LNOI調(diào)制器與InP激光器的低損耗耦合（<1dB），集成模塊尺寸<0.5cm³，適用于可插拔光模塊（QSFP-DD封裝）。

1. 定制化晶圓：支持薄膜厚度（200-1000nm）、晶向（X/Y/Z切型）定制
 

2. 圖形化加工：提供＜100nm線寬的離子束刻蝕服務(wù)
 

3. 測(cè)試驗(yàn)證：配備晶圓級(jí)電光參數(shù)測(cè)試平臺(tái)
 

4. 小批量供應(yīng)：6英寸晶圓月產(chǎn)能500片
 

5. 技術(shù)培訓(xùn)：提供LNOI設(shè)計(jì)PDK及流片指導(dǎo)