氧化鋁陶瓷基板特性與典型應(yīng)用

1. 高絕緣性

氧化鋁陶瓷基板具有＞15 kV/mm的高擊穿電壓，能有效耐受高電壓沖擊，確保電路安全隔離。這一特性使其可應(yīng)用于電力電子模塊封裝，如IGBT功率器件的絕緣隔離層。

2. 優(yōu)異耐高溫性

耐火溫度高達(dá)1600℃，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的物理化學(xué)性能。特別適合應(yīng)用于航天器電子元件基板等極端熱環(huán)境場(chǎng)合。

3. 出色化學(xué)穩(wěn)定性

具有優(yōu)異的抗酸堿腐蝕性能，能有效保護(hù)電路免受化學(xué)侵蝕。這一特性使其成為工業(yè)傳感器封裝的首選材料，可顯著延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。




 

4. 良好熱匹配性

熱膨脹系數(shù)與Si、SiC等半導(dǎo)體材料匹配，能有效減少界面熱應(yīng)力。主要應(yīng)用于混合集成電路基板，提高器件可靠性。




 

5. 穩(wěn)定介電性能

具有低介電損耗特性，適配高頻信號(hào)傳輸需求?？蓱?yīng)用于5G基站射頻前端模塊等高頻電子器件。

6. 優(yōu)異耐磨性

表面硬度高，耐磨性能出色。這一特性使其特別適合用于汽車氧傳感器等需要在惡劣環(huán)境下長(zhǎng)期工作的應(yīng)用場(chǎng)景。






 

知明半導(dǎo)體材料與技術(shù)關(guān)聯(lián)

1. 與第三代半導(dǎo)體結(jié)合
技術(shù)優(yōu)勢(shì)：通過(guò)DBC工藝實(shí)現(xiàn)與SiC器件的低熱阻鍵合，散熱效率提升30%。







2. 金屬化工藝創(chuàng)新
材料關(guān)聯(lián)：采用鎢/鉬金屬層，表層鍍金增強(qiáng)焊接性，適配高功率封裝需求。



 

3. 多層共燒技術(shù)
技術(shù)突破：支持90%-99%氧化鋁含量基板定制，滿足薄膜/厚膜電路集成需求。







4. 復(fù)合基板開(kāi)發(fā)
場(chǎng)景拓展：與氮化鋁復(fù)合，平衡導(dǎo)熱性與成本，擴(kuò)展至核能設(shè)備散熱。





 

知明服務(wù)

1. 全流程定制

支持氧化鋁含量（75%-99%）、厚度（0.1-2mm）及表面金屬化（Cu/Ag/Au）定制。
 

2. 精密加工能力

激光鉆孔精度±5μm，表面拋光粗糙度Ra≤0.1μm，適配微米級(jí)電路設(shè)計(jì)。

3. 聯(lián)合研發(fā)支持

與高校合作開(kāi)發(fā)HTCC（高溫共燒陶瓷）技術(shù)，提供封裝設(shè)計(jì)-測(cè)試一體化方案。
 

4. 環(huán)保工藝

采用無(wú)氰電鍍和低溫?zé)Y(jié)工藝，降低能耗30%，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。